| 产品类型二极管 | 是否进口否 |
| 品牌MDD | 型号*** |
| 材料硅(Si) |
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| 品牌MDD | 型号*** |
| 材料硅(Si) |
二极管击穿的主要原因是：两端所加的反向电压，超过某个特定值。二极管的反向击穿分两种，一种是齐纳击穿，一种是雪崩击穿。那么这两种反向击穿有什么区别呢？
齐纳击穿。二极管在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，二极管反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使二极管电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
雪崩击穿。当二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论二极管处于击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结***性损坏。
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| 企业类型 | 有限责任公司 | 统一社会信用代码 | 914403005627800881 |
|---|---|---|---|
| 成立日期 | 2010-10-14 | 法定代表人/负责人 | 马奕俊 |
| 注册资本 | 526.3158万(元) | 注册地址 | 深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路128号卓越梅林中心广场（北区）4号楼1402 |
| 营业期限 | 2010-10-14 至 9999-12-31 | 登记机关 | 深圳市市场监督管理局 |
| 经营范围 | 一般经营项目是：芯片(集成电路)、半导体器件、电子元器件的电路设计、技术研发及销售；电子设备及相关产品的销售及技术服务；货物及技术进出口。半导体分立器件制造；集成电路芯片及产品制造。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动），许可经营项目是 | ||
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