100V/15A电流_ NMOSFET

——描述：输入135.3806+7573应用

AH510采用了***的沟槽技术设计提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。100V/15A电流_ NMOSFET它可广泛应用于各种应用场合。

Ах510 использует передовые технологии канальных бороздок, которые обеспечивают высококачественный низкосеточный заряд RDS(ON). 100V_5A ток<150m Ω. N проход увелич модел усилител он широк использ в различн прикладн случа.

一般特征：

VDS = 100v, ID = 5A

RDS(ON)<300mΩ @ VGS=10V (Typ:150mΩ)

***密度电池设计

全面表征雪崩电压和电流

包装优良，散热好

应用领域：电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断供电

注:

1. 重复额定值:受结温限制的脉冲宽度。

2. 表面安装在FR4单板上，≤10秒。

3.脉冲测试:脉宽≤300μs，占空比≤2%。

4. 由设计***，不受生产限制

深圳市振邦微科技主营：大功率MOS场效应管，小功率MOS场效应管，N沟道MOS场效应管，高压MOS场效应管，低压MOS场效应管，电源芯片。100V_5A电流<150m?_ N通道增强模式MOSFET，如需咨询请联系振邦微科技。下面是我公司部分MOS场效应管应用和参考参数。

产品型号   电压参数      电流参数          阻值参数            封装参数

20N03      电压/30V      电流/20A         内阻/26mΩ         封装   TO-252/SOP-8

60N03      电压/30V      电流/60A         内阻/13mΩ         封装   TO-252/TO-220铁

80N03      电压/30V     电流/80A        内阻/10mΩ           封装   TO-252

85N03      电压/30V     电流/85A        内阻/ 8mΩ            封装    TO-252

150N03    电压/30V     电流/150A      内阻/4mΩ            封装   TO-220铁

30P03      电压/30V      电流/30A       内阻/30mΩ           封装   TO-252

20N04      电压/40V     电流/20A        内阻/35mΩ          封装   TO-252

60N04      电压/40V     电流/60A        内阻/ 5mΩ           封装    TO-252

20N06      电压/60V     电流/20A        内阻/50mΩ          封装   TO-252

50N06      电压/60V      电流/50A        内阻/20mΩ         封装   TO-252/TO-220F/SOP-8

75N75      电压/75V      电流/75A        内阻/9 mΩ          封装   TO-220铁