产品特性大功率 | 品牌VBsemi/微碧半导体 |
型号9T18GH | 封装TO252 |
批号23+ | FET类型MOS |
漏源电压(Vdss)30V | 漏极电流(Id)60A |
漏源导通电阻(RDS On)10mΩ@10V | 栅源电压(Vgs)标准 |
栅极电荷(Qg)标准 | 反向恢复时间标准 |
最大耗散功率标准mW | 配置类型Single |
工作温度范围标准 | 安装类型表面贴片 |
应用领域汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源 |