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| 产品特性低栅极电荷 | 品牌Fet/东沅 |
| 型号FKD18N20 | 封装TO252 |
| 批号24+ | FET类型N通道MOS管 |
| 漏源电压（Vdss）200V | 漏极电流(Id)18A |
| 漏源导通电阻(RDS On)170mΩ | 栅源电压(Vgs)±20A |
| 栅极电荷(Qg)24.9nC | 反向恢复时间23.8ns |
| 最大耗散功率62.5mW | 配置类型沟槽型 |
| 工作温度范围-55 to 150 ℃ | 安装类型表面贴装式 |
| 应用领域汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备 | 数量10000 |
| QQ1186670662 | 资质代理 |
| 货源原厂 | 可售卖地全国 |
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的代理商，商品原厂原装
可为终端客户提供样品及技术支持！
欢迎致电！
型号：FKD18N20
封装：TO252
类型：N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
温馨提示：公司产品丰富，如想求购具体型号可直接致电或QQ联系！
描述
FKD18N20是性能的沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出-色的RDSON和栅极充电。FKD18N20符合RoHS和绿色产品要求，100.00%EAS保-证，全功能可靠性得到批准。
特征
● 超-低RDS（oN）
● 绿色设备可用
● 出-色的Cdv/dt效应下降
● 先-进的高细胞密度挖沟技术
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏源击穿电压：200V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=9A: 170mΩ
VGS=4.5V，ID=9A: 180mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.5V
● 漏源漏电流
VDS=160V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=160V，VGS=0V，TJ=125℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：22S
● 栅极电阻：2Ω
● 闸门总电荷：45nC
● 栅极-源极电荷：9nC
● 栅极-漏极电荷：10.5nC
● 开机延迟时间：13ns
● 上升时间：8.2ns
● 关闭延迟时间：25ns
● 秋季时间：11ns
● 输入电容：2047pF
● 输出电容：109pF
● 反向传输电容：70pF
产品规格书（部分），如需PDF文档请QQ索要或电话联系
科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念，为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件，提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。
| 企业类型 | 有限责任公司 | 统一社会信用代码 | 91440300577684187Y |
|---|---|---|---|
| 成立日期 | 2011-06-15 | 法定代表人/负责人 | 颜昌奇 |
| 注册资本 | 300万(元) | 注册地址 | 深圳市龙华新区民治街道红山路南源新村南源商业大厦11楼1105室 |
| 营业期限 | 2011-06-15 至 9999-12-31 | 登记机关 | 龙华局 |
| 经营范围 | 一般经营项目是：集成电路及功能模块、软件、电子产品、电子元器件的技术开发、设计与销售及其相关的技术服务；国内贸易（法律、行政法规、国务院决定规定在登记前须经批准的项目除外）。，许可经营项目是 | ||
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