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型号:FKUC6008
封装:SOT23S
类型:N通道MOS管
品牌:Fet/东沅
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概述
FKUC6008是高单元密度沟槽N沟MOSFET,为大多数小功率开关和负载开关应用提供了***的RDSON和效率。FKUC6008符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。
特征
● 绿色设备可用
● 低栅极电荷
● 出-色的CdV/dt效应下降
● 先-进的高细胞密度挖沟技术
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏源击穿电压:60V
● 参考温度系数:0.054V/℃
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V,ID=2A: 80~100mΩ
VGS=4.5V,ID=1A: 85~110mΩ
● 栅极阈值电压:1.2~2.5V
● 温度系数:-4.96mV/℃
● 漏源漏电流
VDS=48V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=48V,VGS=0V,TJ=55℃:5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 正向跨导:13S
● 闸门总电荷:5~7.0nC
● 栅源电荷:1.68~2.4nC
● 栅漏电荷:1.9~2.7nC
● 开机延迟时间:1.6~3.2ns
● 上升时间:7.2~13ns
● 关机延迟时间:25~50ns
● 秋季时间:14.4~28.8ns
● 输入电容:511~715pF
● 输出电容:38~53pF
● 反向转移电容:25~35pF
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Fet/东沅授权代理书
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适配器、PD充电器、移动电源、无线充电源、户外储能电源、光伏储能、多媒体音响、HUB集线器、多功能扩展坞、家用电器、汽车电子等领域。
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