【晶体管MOS管FQD4N25-VB微碧半导体TO252封装大功率芯片场效应管】价格

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更新时间 : 2024-11-12

产品特性大功率	品牌VBsemi/微碧半导体
型号FQD4N25-VB	封装TO252
批号24+	FET类型MOS
漏源电压（Vdss）250V	漏极电流(Id)4A
漏源导通电阻(RDS On)800mΩ@VGS=10V	栅源电压(Vgs)标准
栅极电荷(Qg)标准	反向恢复时间标准
最大耗散功率标准mW	配置类型single
工作温度范围标准	安装类型表面贴片
应用领域网络通信、安防设备、测量仪器、智能家居、家用电器、照明电子、 3C数码、物联网IoT、可穿戴设备、新能源

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供应商信息

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企业类型	有限责任公司	统一社会信用代码	91440300056161233X
成立日期	2012-10-08	法定代表人/负责人	张泽华
注册资本	1,000万(元)	注册地址	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502
营业期限	2012-10-08 至无固定期限	登记机关	深圳市市场监督管理局
经营范围	半导体、集成电路、场效应管、电子元器件、电子产品的技术开发、销售；应用电路方案设计；经营电子商务；货物及技术进出口；半导体分立器件制造；集成电路芯片及产品制造。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）^

联系方式

张先生运营

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