东沅(Fetek)FKUC2301,P沟道20V快速开关MOSFET,封装SOT23S
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产品说明
概述
FKUC2301是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,它为大多数小功率开关和负载开关应用提供了***的RDSON和效率。FKUC2301符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。
特征
● 绿色设备可用
● 低栅极电荷
● 出-色的CdV/dt效应下降
● 先-进的高细胞密度挖沟技术
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏源击穿电压:-20V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=-4.5V , ID=-3A:76~100mΩ
VGS=-2.5V , ID=-2A:110~135mΩ
VGS=-1.8V , ID=-0.9A:160~240mΩ
● 栅极阈值电压:0.45V -0.6V -1.0V
● 漏源漏电流
VDS=-16V,VGS=0V,TJ=25℃:-1uA
VDS=-16V,VGS=0V,TJ=55℃:-5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 正向跨导:12.2S
● 闸门总电荷:10.1nC
● 栅极-源极电荷:1.21nC
● 栅极-漏极电荷:2.46nC
● 开机延迟时间:5.6ns
● 上升时间:32.2ns
● 关机延迟时间:45.6ns
● 跌落时间:29.2ns
● 输入电容:677pF
● 输出电容:82pF
● 反向传输电容:73pF
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授权代理商证书
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