| 产品特性- | 是否进口否 |
| 加工定制否 | 品牌智测电子 |
| 型号TC wafer | 测量范围900 |
| 产品特性- | 是否进口否 |
| 加工定制否 | 品牌智测电子 |
| 型号TC wafer | 测量范围900 |
TC-Wafer高低温探针台晶圆测温系统
TC-Wafer等离子蚀刻晶圆温度测量系统
等离子蚀刻（Plasma Etching）是一种将化学和物理过程相结合的加工技术，用于在材料表面形成***的图案和结构。
温度对等离子蚀刻的影响：
蚀刻速率： 温度可以影响等离子体中离子的能量和移动性，从而影响蚀刻速率。一般来说，温度升高会增加离子的动能，导致蚀刻速率的增加。
选择性： 温度的变化可能影响不同材料的蚀刻速率，从而影响选择性。在一些情况下，调整温度可以优化特定材料的选择性蚀刻。
表面质量： 温度的变化可能影响表面的化学反应速率，从而影响蚀刻的表面质量。过高或过低的温度可能导致不理想的表面结构。
边缘效应： 温度变化可能引起边缘效应，即在材料的边缘区域蚀刻速率不同于中心区域，影响结构的精度和均匀性。
温度控制在等离子蚀刻中的作用：
在等离子蚀刻过程中，温度控制是非常重要的，因为温度的变化可能对蚀刻结果产生影响。合理的温度控制可以带来以下好处：
蚀刻稳定性： 稳定的温度有助于蚀刻过程的稳定性，减少蚀刻速率的波动，从而获得更一致的加工结果。
选择性控制： 在特定温度下，可以实现特定材料的选择性蚀刻，优化图案制备过程。
产品质量： 控制温度可以减少表面缺陷和边缘效应，提高产品的质量和一致性。
工艺可重复性： 稳定的温度条件有助于确保不同批次或不同设备下的蚀刻过程的可重复性。智测电子晶圆温度测量系统，可用于记录等离子蚀刻工艺环境对真实工艺条件下生产晶圆的影响。 高精度温度传感器能够实现晶圆整体温度监测，这与导体蚀刻工艺的 CD 均匀性控制密切相关。通过测量与产品工艺接近条件下的温度数据，可以帮助工艺工程师完成调整蚀刻工艺条件，验证及匹配腔体、和PM后的验证等工作。
| 企业类型 | 有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) | 统一社会信用代码 | 91310104685460869N |
|---|---|---|---|
| 成立日期 | 2009-02-26 | 法定代表人/负责人 | 陶军 |
| 注册资本 | 100万(元) | 注册地址 | 上海市徐汇区冠生园路227号7幢211室 |
| 营业期限 | 2009-02-26 至 无固定期限 | 登记机关 | 徐汇区市场监督管理局 |
| 经营范围 | 测试仪器、仪表、设备、工具、计量校准和检测验证系统软件的销售，计量校准和检测验证系统软件科技领域内的技术开发、技术服务，从事货物及技术进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 | ||
