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30V 30A P沟道 mos管 DFN3*3-8封装 30P03
- 品牌
- HN
- 型号
- 30P03
- 封装
- DFN3*3-8
- 批号
- 2022+
- FET类型
- P沟道MOSFET
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
主营产品: MOS管 二极管 三极管 集成电路 -
ap9915GH 封装TO252 丝印贴片场效应管微碧半导体mos管
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- AP9915GH
- 封装
- TO252
- 批号
- 22+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
ap6679S 微碧N沟道 TO-263封装 mos管大功率场效应管
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- AP6679S
- 封装
- to263
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
供应UTC品牌 UTT30P06 60v30A P沟道mos管 可替换ap9575A
- 品牌
- UTC/友顺
- 型号
- UTT30P06
- 种类
- 绝缘栅(MOSFET)
- 沟道类型
- P沟道
- 导电方式
- 增强型
- 封装外形
- P-DIT/塑料双列直插
主营产品: 升降压芯片 PD协议芯片 电源管理 超薄桥堆-二极管 -
全新原装2SJ355 ap9451 2SJ244 场效应P沟道mos管
- 品牌
- RENESAS/瑞萨
- 型号
- 2SJ244
- 种类
- 绝缘栅(MOSFET)
- 沟道类型
- P沟道
- 导电方式
- 耗尽型
- 封装外形
- SMD(SO)/表面封装
主营产品: 霍尔元件 霍尔传感器 霍尔开关 集成电路IC -
NCE新洁能原装NCE40P05Y -40V -5.3A P沟道mosFET场效应管 封SOT23-3L
- 品牌
- 新洁能NCE
- 型号
- NCE40P05Y
- 类型
- 漏源电压(Vdss)
- -40V
- 连续漏极电流(Id)
- -5.3A
- 功率(Pd)
- 2 W
主营产品: 电子元器件 集成电路IC 国产芯片替代 半导体 芯片 -
ARF463ap1G原装Microsemi 500V 9A 射频mos管 N沟道 TO-247
- 品牌
- Microsemi
- 型号
- ARF463AP1G
- 封装
- TO-247
- 批号
- 2020+
- FET类型
- N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
主营产品: 集成电路 二极管 场效应管 IGBT管 -
全新进口原装 ap9977GH 9977GH TO-252场效应12A 60V N沟道mos管
- 品牌
- 其他
- 型号
- AP9977GH
- 封装
- TO-252
- 批号
- 2
- FET类型
- N
- 漏源电压(Vdss)
- 2
主营产品: 电子元件 三极管 电源IC 光耦 -
***ap15P15GH N沟道150V 15A TO-252 mos场管
- 品牌
- APEC
- 型号
- AP15P15GH
- 封装
- TO-252
- 批号
- 21+
- 正向电流(If)
- 80
- 反向重复电压(Vrrm)
- 50
主营产品: 电子元器件 IC类 阻容类 二三极管类 电解 电源模块类 变压 -
ap2305GN 富鼎*** -20V-4.2A P沟道 mos管
- 品牌
- 富鼎先进
- 型号
- AP2305GN
- 封装
- SOT-23
- 批号
- 2020+
主营产品: MOS管 AO3400 AO3401 贴片MOS管 -
ap2300_N沟道场效应管mos管SOT23 IC
- 品牌
- AP
- 型号
- AP2300
- 类型
- 驱动IC
- 封装
- SOT23
主营产品: 驱动IC -
N沟道场效应管IRFP260N IRF9540骊创现货mos
- 产品特性
- 电压控制器
- 品牌
- 骊创
- 型号
- IRFP260N
- 封装
- DIP6
- 批号
- IRFP260N
- FET类型
- CS14A
主营产品: 连接器 开关 电容器 二三极管 -
ap60U02GH TO252 丝印贴片场效应管 微碧VBsemi mos管
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- AP60U02GH
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
ap45N03H 封装TO252 丝印贴片场效应管 微碧VBsemi mos管
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- AP45N03H
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
微碧VBsemi ap4417GH TO252 丝印贴片场效应管 mos管
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- AP4417GH
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
原厂微碧 ap40N03GH-HF mos管 TO252 丝印 贴片场效应管
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- AP40N03GH-HF
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
ap3403H TO252封装 丝印贴片场效应管 微碧VBsemi mos管
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- AP3403H
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
微碧 ap25T03GH TO252 大功率场效应管VBsemi mos管原厂
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- AP25T03GH
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
ap9408GM-HF微碧双P沟道 SOIC-8封装 mos管大功率场效应管
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- AP9408GM-HF
- 封装
- SOIC-8
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
ap9565BGM-HF 微碧 N沟道 SO-8封装 mos管大功率场效应管
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- AP9565BGM-HF
- 封装
- SO-8
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
ap18N20GH-HF TO252封装 mos管大功率场效应管 VBsemi 微碧
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- AP18N20GH-HF
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
ap18N20GH TO252封装mos管大功率场效应管微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- AP18N20GH
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
ap3R604GH TO252封装mos管大功率场效应管微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- AP3R604GH
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
ap94T07GH-HF TO252封装mos管大功率场效应管微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- AP94T07GH-HF
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
60V 4A SOT-23 P沟道mos管 HN04P06
- 品牌
- HN
- 型号
- HN04P06
- 封装
- SOT-23
- 批号
- 2022+
- FET类型
- N沟道MOSFET
主营产品: MOS管 二极管 三极管 集成电路 -
国产mos管代理 NCE01P30K新洁能-100V -30A p沟道场效应管 现货供应
- 产品特性
- 增强型
- 品牌
- 新洁能NCE
- 型号
- NCE01P30K
- 类型
- 其他IC
- 封装
- TO-252-2L
- 批号
- 23+
主营产品: 电子元器件 集成电路IC 国产芯片替代 半导体 芯片 -
NCE2301F -20V -2A SOT-23 P沟道 mos管HN3415替代NCE2301
- 品牌
- NCE
- 型号
- NCE2301F
- 封装
- SOT-23
- 批号
- 新
主营产品: MOS管 二极管 三极管 集成电路 -
替代ap2323GN 原装-20V-4A SOT-23 P沟道mos管 HN3415
- 品牌
- HN
- 型号
- HN3415
- 封装
- SOT-23
- 批号
- 新
主营产品: MOS管 二极管 三极管 集成电路 -
替代ap2319GN -20V -3.1A P沟道 mos管HN3415
- 品牌
- HN
- 型号
- HN3415
- 封装
- SOT-23
- 批号
- 新
主营产品: MOS管 二极管 三极管 集成电路 -
替代ap2P053N 原装-20V-4A SOT-23 P沟道 mos管HN3415
- 品牌
- HN
- 型号
- HN3415
- 封装
- SOT-23
- 批号
- 新
主营产品: MOS管 二极管 三极管 集成电路 -
NCE9435 NCE新洁能代理 -30V -5.1A P沟道增强型功率mosFET 封装SOP-8
- 品牌
- 新洁能NCE
- 型号
- NCE9435
- 类型
- P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- -30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.1 A
- 功率(Pd)
- 2.5 W
主营产品: 电子元器件 集成电路IC 国产芯片替代 半导体 芯片 -
NCE2309 NCE -60V -1.6A P沟道增强型功率mosFET场效应管 封装SOT-23
- 品牌
- 新洁能NCE
- 型号
- NCE2309
- 封装/规格
- SOT-23
- 类型
- P沟道
- 漏源电压
- -60V
- 连续漏极电流
- -1.6A
主营产品: 电子元器件 集成电路IC 国产芯片替代 半导体 芯片 -
NCE60P05BY新洁能-60V -5A P沟道增强型功率mosFET场效应管 封SOT-23
- 品牌
- 新洁能NCE
- 型号
- NCE60P05BY
- 封装/规格
- SOT-23
- 类型
- P沟道
- 漏源电压
- -60V
- 连续漏极电流
- -5A
主营产品: 电子元器件 集成电路IC 国产芯片替代 半导体 芯片 -
NCE40P05Y -40V -5.3A P沟道增强型功率mosFET场效应管 封装SOT23-3L
- 品牌
- 新洁能NCE
- 型号
- NCE40P05Y
- 封装/规格
- SOT23-3L
- 类型
- P沟道
- 漏源电压
- -40V
- 连续漏极电流
- -5.3A
主营产品: 电子元器件 集成电路IC 国产芯片替代 半导体 芯片 -
ap4028GEMT-HF富鼎***原装N沟道mos 30V PMARK 5*6 富鼎代理
- 品牌
- 富鼎先进
- 型号
- AP4028GEMT-HF
- 封装
- PMARK 5*6
- 批号
- 2018+
主营产品: MOS管 AO3400 AO3401 贴片MOS管 -
ap4407I-HF富鼎*** P型沟道mos管 -30V -40A TO-220F mos 原装现货
- 品牌
- 富鼎先进
- 型号
- AP4407I-HF
- 封装
- TO-220F
- 批号
- 2019+
- 漏源电压(Vdss)
- -30V
- 漏极电流(Id)
- -40A
主营产品: MOS管 AO3400 AO3401 贴片MOS管 -
供应台湾富鼎***mos管ap2306AGN
- 品牌
- 富鼎先进
- 型号
- AP2306AGN
- 种类
- 绝缘栅(MOSFET)
- 沟道类型
- N沟道
- 导电方式
- 增强型
- 用途
- DC/直流
主营产品: MOS管 AO3400 AO3401 贴片MOS管
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