产品特性MOSFET | 适用产品电源 |
输入电压范围1200 | 最快出货时间7天 |
是否支持一件代发支持 | 发票支持 |
售后服务支持 | 品牌GeneSiC Semiconductor |
系列G3R | 型号G3R20MT12N |
封装 / 箱体:SOT-227 | 晶体管极性:N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV | Id-连续漏极电流:93 A |
Rds On漏源导通电阻20 mOhms | Vgs 栅极源极电压- 5 V, + 15 V |
栅源极阈值电压2.7 V | Qg-栅极电荷:180 nC |
工作温度:- 55 + 175 C | Pd-功率耗散:338 W |