另一方面，当6脚外接二极管导通后，EXB840内部即开始缓降栅压对IGBT实行软关断。
除日本富士EXB84系列驱动器外，采用光耦隔离元件的集成驱动器还有日本英达HRO65、日本三菱M57959L~M57962以及国产的HL402等。使用这些驱动器时，读者可查阅有关商家的产品手册，在此不一一介绍。
***要说明的是，光耦驱动器虽然具有很多优点，但需要较多的电源且信号传输延迟时间较长。采用变压器耦合驱动时可克服光耦驱动器的诸多不足，驱动电路结构简单和工作电源少是其突出优点。但是变压器耦合驱动器不能自动实现过流保护和任意脉宽输出，尤其是很难对SPWM信号脉冲的传输实现隔离。美国Unitrode公司的UC3726/3727就是专为克服不能实现任意脉宽输出而设计的，但其外围电路稍显过多，因而在目前传输信号频率不大高的场合还是多用光耦器件进行隔离。
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保护电路
将IGBT用于电力变换器时，应采取保护措施以防损坏器件，常用的保护措施有:
1通过检出的过电流信号切断门极控制信号，实现过电流保护；利用缓冲电路抑制过电压并限制过量的dV/dt;
利用温度传感器检测IGBT的壳温，当超过允许温度时主电路跳闸，实现过热保护。下面简单介绍三种保护电路。
如图2-64所示是一种实的IGBT过电流保护电路，由图可知，漏极电压与门极驱动信号相“与”后输出过电流信号，将此过电流信号反馈至主控电路切断门极信号，以保护IGBT不受损坏。
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如图2-65所示为另一种实用的IGBT过电流保护电路。当IGBT的漏极电流小于限流阈值时，比较器同相端电位低于反相端电位，其输出为低电平，VT3关断，当驱动信号为高电平时，VT2导通，驱动信号使IGBT导通；当驱动信号由高电平变为低电平时，VT2
的寄生二极管导通，驱动信号将IGBT关断。这时IGBT仅受驱动信号控制。
当导通的IGBT源极电流超过限流阈值，电流经电流互感器T、二极管VD3在电阻Rs 上产生的压降传送到比较器同相端，其电位将超过反相端电位，比较器输出由低电平翻转到高电平，VT1导通迅速泄放VT2的栅极电荷，VT2迅速关断，阻断了驱动信号传送到A-UPS电源??蓄电池13181559708:
IGBT的门极；同时VT1驱动VT2迅速导通，将IGBT 的门极电荷迅速泄放，使IGBT关断；正反馈电阻R2使比较器在IGBT过电流被关断后保持输出高电平，以确保IGBT在本次开关周期IGBT 内不再导通。当驱动信号由高电平变为低电平，比驱动5 较器输出端随之变为低电平，同相端电位下降并低电路于反相端电位，过电流保护电路复位，为下一个开关周期的正常运行和过电流保护做好准备。当驱动信号再次变为高电平时，经导通的VT2驱动IGBT LM311 导通，如IGBT的源极电流不超过限流阚值，则过D, 电流保护电路不动作；如电流超过限流阈值，则过图2-65 IGBT过电流保护电路(2) 电流保护电路动作将IGBT再次关断。这样过电流保护电路实现了逐个脉冲电流限制。电流的限流阈值可通过调整电阻R5任意设置，由于采用了逐个脉冲电流限制，可将限流阀值设置在工作电流的1.1倍，这样既可确保IGBT在任何负载状态下电流被限制在限流阀值内，又不影响电路正常工作，因此具有较高的可靠性。
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第三种电路就是浪涌电压吸收电路，如图2-66所示。
如图2-66(a)所示是最简单的浪涌电压吸收电路，只是在直流端子间接入小容量电容而已，适用于50A系列以下的IGBT；如图2-66(b)所示的电路是用RCD电路吸收较大的浪涌能量，用电容吸收高频浪涌电压，这种方式适用于中等容量变换器的IGBT；如图2-66 (c)所示的电路在各臂上接有RCD的电路，元件并联时对应于1~2个元件接入一组RcD 电路，采用高速并且具有软恢复特性二极管较佳。另外可在二极管两端并联陶瓷电容从而减小浪涌电压；如图2-66(d)、(e)所示电路的吸收浪涌电压效果好，但其损耗比较大，因此应用于IGBT耐压余量较小的场合。
